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RFQ

Produkt Diskrete HalbleiterTransistorenBipolar (BJT)Einzelne bipolare TransistorenMJD3055G

onsemi

MJD3055G

Name: MJD3055G
Brand: onsemi
SKU: 276-MJD3055G

Hersteller:

onsemi

ERSA Teilenummer:

276-MJD3055G

Datenblatt:

PDF-Datenblatt

Beschreibung:

60V 10A NPN BJT Power Transistor, DPAK

RoHS-Status:

Aktie:

Warum wir?

Professionelle Plattform

B2B & B2C Beschaffung

Schnelle Lieferung

1-2 Tage Lieferzeit

Große Vielfalt

Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität

Technische Daten

Package/Case

DPAK

Collector Base Voltage (VCBO)

70V

Collector Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector Emitter Saturation Voltage

1.1V

Collector Emitter Voltage (VCEO)

60V

Collector-emitter Voltage-Max

Current Rating

10A

Emitter Base Voltage (VEBO)

FAQ

Ist MJD3055G aktuell auf Lager?

Ja. Für MJD3055G werden derzeit 575 Stück als lagernd angezeigt.

Was ist MJD3055G?

MJD3055G ist ein Single Bipolar Transistors von onsemi. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.

Gibt es verwandte oder alternative Teile für MJD3055G?

Ja. Auf dieser Seite können verwandte oder alternative Teile angezeigt werden, wenn passende Produktdaten verfügbar sind.

Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt MJD3055G?

Der angegebene Betriebstemperaturbereich von MJD3055G beträgt 150°C.

In welchem Gehäuse oder Package ist MJD3055G erhältlich?

MJD3055G ist derzeit im Gehäuse / Package DPAK erhältlich.

Kurzes Zitat

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