Englisch
japanisch
Portugiesisch
Korea
Mexiko
Niederländisch
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
.png)
Technische Daten
Package/Case
TO-263AB
Collector Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600V
Collector-emitter Voltage-Max
2.7V
Eingabetyp
STANDARD
Max Collector Current
34A
Max Operating Temperature
150°C
FAQ
Was ist HGT1S7N60A4DS?
HGT1S7N60A4DS ist ein Single IGBTs von onsemi. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.
Gibt es verwandte oder alternative Teile für HGT1S7N60A4DS?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt HGT1S7N60A4DS?
In welchem Gehäuse oder Package ist HGT1S7N60A4DS erhältlich?
Ist HGT1S7N60A4DS aktuell auf Lager?
Kurzes Zitat
ZUR RFQ-LISTE HINZUFÜGEN
Nicht online erhältlich? Sie möchten den günstigeren Großhandelspreis? Bitte senden Sie eine RFQ, um den besten Preis zu erhalten. Wir werden umgehend antworten.
SCHNELLE ANFRAGE
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
