onsemi_FDMS8672AS
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FDMS8672AS

278-FDMS8672AS
PDF-Datenblatt
Power Field-Effect Transistor

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365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

Continuous Drain Current (ID)
28A
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Drain to Source Resistance
5mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Element Configuration
Single
Fall Time
3ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Eingangskapazität
2.6nF
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FAQ

In welchem Gehäuse oder Package ist FDMS8672AS erhältlich?
FDMS8672AS ist derzeit im Gehäuse / Package 3000 erhältlich.
Was ist FDMS8672AS?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt FDMS8672AS?
Welche Spannungsspezifikation ist für FDMS8672AS angegeben?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für FDMS8672AS?
Kurzes Zitat
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