onsemi_FDC655AN
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FDC655AN

278-FDC655AN
PDF-Datenblatt
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT

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ISO9001
Quality Policy
ISO45001
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Original

Technische Daten

Package/Case
SOT-23-6
Continuous Drain Current (ID)
6.3A
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Drain to Source Resistance
23mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Fall Time
10ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Eingangskapazität
830pF
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FAQ

Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt FDC655AN?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von FDC655AN beträgt 150°C.
In welchem Gehäuse oder Package ist FDC655AN erhältlich?
Welche Spannungsspezifikation ist für FDC655AN angegeben?
Ist FDC655AN aktuell auf Lager?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für FDC655AN?
Kurzes Zitat
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