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onsemi
FDB12N50UTM_WS
278-FDB12N50UTM_WS
N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 500V, 10A, 800mO
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Package/Case
TO-263-3
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
500V
Drain to Source Resistance
550mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Element Configuration
Single
Fall Time
35ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
FAQ
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt FDB12N50UTM_WS?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von FDB12N50UTM_WS beträgt 150°C.
Ist FDB12N50UTM_WS aktuell auf Lager?
Welche Montageart hat FDB12N50UTM_WS?
Welche Spannungsspezifikation ist für FDB12N50UTM_WS angegeben?
In welchem Gehäuse oder Package ist FDB12N50UTM_WS erhältlich?
Kurzes Zitat
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SCHNELLE ANFRAGE
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