Englisch
japanisch
Portugiesisch
Korea
Mexiko
Niederländisch
onsemi
FDB047N10
278-FDB047N10
PDF-Datenblatt
N-Channel Power MOSFET, 100V, 120A, 4.7mR, D2PAK, SM
16 Weeks
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
.png)
Technische Daten
Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
120A
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Drain to Source Resistance
4.7mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Drain-source On Resistance-Max
4.7MR
Element Configuration
Single
Fall Time
244ns
FAQ
In welchem Gehäuse oder Package ist FDB047N10 erhältlich?
FDB047N10 ist derzeit im Gehäuse / Package D2PAK erhältlich.
Ist FDB047N10 aktuell auf Lager?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für FDB047N10?
Welche Montageart hat FDB047N10?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt FDB047N10?
Kurzes Zitat
ZUR RFQ-LISTE HINZUFÜGEN
Nicht online erhältlich? Sie möchten den günstigeren Großhandelspreis? Bitte senden Sie eine RFQ, um den besten Preis zu erhalten. Wir werden umgehend antworten.
SCHNELLE ANFRAGE
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
