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FDA16N50-F109

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278-FDA16N50-F109
PDF-Datenblatt
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
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Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

FET-Typ
N-Channel
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1945 pF @ 25 V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Produktstatus
Active
Gerätepaket des Lieferanten
TO-3PN
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Verlustleistung (max.)
205W (Tc)
Verpackung/Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
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FAQ

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