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onsemi_FCD4N60TM_WS
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FCD4N60TM_WS

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278-FCD4N60TM_WS
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MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

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Technische Daten

Package/Case
TO-252-3
Continuous Drain Current (ID)
3.9A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
1R
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Fall Time
30ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Eingangskapazität
540pF
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FAQ

In welchem Gehäuse oder Package ist FCD4N60TM_WS erhältlich?
FCD4N60TM_WS ist derzeit im Gehäuse / Package TO-252-3 erhältlich.
Welche Montageart hat FCD4N60TM_WS?
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Ist FCD4N60TM_WS aktuell auf Lager?
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