onsemi_BC848CWT1G
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BC848CWT1G

276-BC848CWT1G
PDF-Datenblatt
NPN BJT Transistor, 30V, 100mA, 100MHz, SC-70
8 Weeks

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

Package/Case
SC
Collector Base Voltage (VCBO)
30V
Collector Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector Emitter Saturation Voltage
600mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
30V
Collector-emitter Voltage-Max
600mV
Contact Plating
Tin, Matte
Current Rating
100mA
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FAQ

Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt BC848CWT1G?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von BC848CWT1G beträgt 150°C.
Wie lang ist die Standardlieferzeit für BC848CWT1G?
Welche Spannungsspezifikation ist für BC848CWT1G angegeben?
In welchem Gehäuse oder Package ist BC848CWT1G erhältlich?
Ist BC848CWT1G aktuell auf Lager?
Kurzes Zitat
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