onsemi_4N35TVM
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4N35TVM

903-4N35TVM
PDF-Datenblatt
Phototransistor Optocoupler, 5.25kV Isolation, DIP, 60mA
10 Weeks

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Quality Policy
ISO45001
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Original

Technische Daten

Package/Case
DIP
Collector Emitter Saturation Voltage
300mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
300mV
Collector-emitter Voltage-Max
300mV
Contact Plating
Tin, Matte
Fall Time
2us
Forward Current
60mA
Höhe
5.08mm
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FAQ

In welchem Gehäuse oder Package ist 4N35TVM erhältlich?
4N35TVM ist derzeit im Gehäuse / Package DIP erhältlich.
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt 4N35TVM?
Welche Spannungsspezifikation ist für 4N35TVM angegeben?
Wie lang ist die Standardlieferzeit für 4N35TVM?
Welche Montageart hat 4N35TVM?
Kurzes Zitat
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