Microsemi_UTV8100B
Microsemi_UTV8100B
original

Microsemi
UTV8100B

283-UTV8100B
PDF-Datenblatt
RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55RT, 4 PIN

Warum wir?

Professionelle Plattform

B2B & B2C Beschaffung

Schnelle Lieferung

1-2 Tage Lieferzeit

Große Vielfalt

Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

Collector Base Voltage (VCBO)
65V
Collector Emitter Breakdown Voltage
60V
Gewinnen
9.5dB
Max Collector Current
15A
Max Frequency
860MHz
Max Operating Temperature
200°C
Min Operating Temperature
-40°C
Max Power Dissipation
290W
Mehr anzeigen

FAQ

Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt UTV8100B?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von UTV8100B beträgt 200°C.
Gibt es verwandte oder alternative Teile für UTV8100B?
Ist UTV8100B aktuell auf Lager?
Was ist UTV8100B?
Welche Spannungsspezifikation ist für UTV8100B angegeben?
Kurzes Zitat
ZUR RFQ-LISTE HINZUFÜGEN

Nicht online erhältlich? Sie möchten den günstigeren Großhandelspreis? Bitte senden Sie eine RFQ, um den besten Preis zu erhalten. Wir werden umgehend antworten.

SCHNELLE ANFRAGE