


Microsemi
UTV8100B
283-UTV8100B
PDF-Datenblatt
RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55RT, 4 PIN
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle QualitätTechnische Daten
Collector Base Voltage (VCBO)
65V
Collector Emitter Breakdown Voltage
60V
Gewinnen
9.5dB
Max Collector Current
15A
Max Frequency
860MHz
Max Operating Temperature
200°C
Min Operating Temperature
-40°C
Max Power Dissipation
290W
FAQ
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt UTV8100B?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von UTV8100B beträgt 200°C.
Gibt es verwandte oder alternative Teile für UTV8100B?
Ist UTV8100B aktuell auf Lager?
Was ist UTV8100B?
Welche Spannungsspezifikation ist für UTV8100B angegeben?



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