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SD1013-03
283-SD1013-03
PDF-Datenblatt
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Package/Case
M
Collector Base Voltage (VCBO)
65V
Collector Emitter Breakdown Voltage
35V
Gewinnen
10dB
Max Collector Current
1A
Max Operating Temperature
200°C
Min Operating Temperature
-65°C
Max Power Dissipation
13W
FAQ
Ist SD1013-03 aktuell auf Lager?
SD1013-03 ist derzeit nur auf Anfrage verfügbar. Bitte kontaktieren Sie uns für die neuesten Bestandsinformationen.
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt SD1013-03?
Welche Spannungsspezifikation ist für SD1013-03 angegeben?
Welche Montageart hat SD1013-03?
In welchem Gehäuse oder Package ist SD1013-03 erhältlich?
Kurzes Zitat
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