Microsemi_MRF5812R2
original

Microsemi
MRF5812R2

285-MRF5812R2
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

Mounting
SMD
Current - Collector (Ic) (Maximum)
200mA
Transistortyp
NPN
Häufigkeit – Übergang
5GHz
Manufacturer Package
8-SO
DC Current Gain (hFE) (Minimum) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 5V
Leistung max
1.25W
Operating Temperature Range
150°C (TJ)
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FAQ

In welchem Gehäuse oder Package ist MRF5812R2 erhältlich?
MRF5812R2 ist derzeit im Gehäuse / Package Reel - TR erhältlich.
Gibt es verwandte oder alternative Teile für MRF5812R2?
Welche Spannungsspezifikation ist für MRF5812R2 angegeben?
Welche Montageart hat MRF5812R2?
Was ist MRF5812R2?
Kurzes Zitat
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