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Microsemi
JAN2N4957
283-JAN2N4957
PDF-Datenblatt
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP, TO-72, HERMETIC SEALED, METAL CAN-4
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Package/Case
TO-72-3
Collector Emitter Breakdown Voltage
30V
Gewinnen
25dB
Max Collector Current
30mA
Max Operating Temperature
200°C
Min Operating Temperature
-65°C
Max Power Dissipation
200mW
Mount
Through Hole
FAQ
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt JAN2N4957?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von JAN2N4957 beträgt 200°C.
Welche Montageart hat JAN2N4957?
Was ist JAN2N4957?
Welche Spannungsspezifikation ist für JAN2N4957 angegeben?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für JAN2N4957?
Kurzes Zitat
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SCHNELLE ANFRAGE
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