Microchip Technology_MXLPLAD30KP18AE3
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Microchip Technology
MXLPLAD30KP18AE3

144-MXLPLAD30KP18AE3
PDF-Datenblatt
TVS DIODE 18VWM 30.8VC PLAD

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Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

Strom - Spitzenimpuls (10/1000µs)
975A
Spannung – Durchschlag (Min.)
20V
Produktstatus
Active
Leistung – Spitzenimpuls
30000W (30kW)
Gerätepaket des Lieferanten
PLAD
Verpackung/Koffer
Nonstandard SMD
Spannung – Klemmung (max.) bei Ipp
30.8V
Spannung – Rückwärtsabstand (Typ)
18V
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FAQ

Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt MXLPLAD30KP18AE3?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von MXLPLAD30KP18AE3 beträgt -55°C ~ 150°C (TJ).
In welchem Gehäuse oder Package ist MXLPLAD30KP18AE3 erhältlich?
Welche Montageart hat MXLPLAD30KP18AE3?
Was ist MXLPLAD30KP18AE3?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für MXLPLAD30KP18AE3?
Kurzes Zitat
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