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Microchip Technology
APTM100UM65DAG
278-APTM100UM65DAG
PDF-Datenblatt
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
42 Weeks
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
FET-Typ
N-Channel
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
28500 pF @ 25 V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1068 nC @ 10 V
Produktstatus
Active
Gerätepaket des Lieferanten
SP6
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Verlustleistung (max.)
3250W (Tc)
Verpackung/Koffer
SP6
FAQ
Welche Spannungsspezifikation ist für APTM100UM65DAG angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für APTM100UM65DAG ist 1000 V.
Ist APTM100UM65DAG aktuell auf Lager?
Was ist APTM100UM65DAG?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für APTM100UM65DAG?
In welchem Gehäuse oder Package ist APTM100UM65DAG erhältlich?
Kurzes Zitat
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