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Microchip Technology
1N5809US
280-1N5809US
PDF-Datenblatt
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
34 Weeks
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Peak Reverse Recovery Time (ns)
30
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
Aufbau
Single
PCB changed
2
HTS
8541.10.00.50
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Produktstatus
Active
FAQ
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt 1N5809US?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von 1N5809US beträgt -65.
Wie lang ist die Standardlieferzeit für 1N5809US?
In welchem Gehäuse oder Package ist 1N5809US erhältlich?
Was ist 1N5809US?
Welche Montageart hat 1N5809US?
Kurzes Zitat
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SCHNELLE ANFRAGE
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