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Infineon Technologies_BSP295E6327
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Infineon Technologies
BSP295E6327

Infineon Technologies
278-BSP295E6327
PDF-Datenblatt
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4

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365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

FET-Typ
N-Channel
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
368 pF @ 25 V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Produktstatus
Obsolete
Gerätepaket des Lieferanten
PG-SOT223-4
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Verpackung/Koffer
TO-261-4, TO-261AA
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FAQ

In welchem Gehäuse oder Package ist BSP295E6327 erhältlich?
BSP295E6327 ist derzeit im Gehäuse / Package TO-261-4, TO-261AA erhältlich.
Ist BSP295E6327 aktuell auf Lager?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für BSP295E6327?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt BSP295E6327?
Welche Spannungsspezifikation ist für BSP295E6327 angegeben?
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