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Ampleon
BLP10H605AZ
285-BLP10H605AZ
PDF-Datenblatt
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229, HVSON-12
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Number of Terminals
12
Terminal Position
DUAL
JEDEC Package Code
MO-229
Anzahl der Elemente
2
RoHS
Yes
Eccn Code
EAR99
Lead Free
Yes
REACH
unknown
FAQ
Was ist BLP10H605AZ?
BLP10H605AZ ist ein RF FETs, MOSFETs von Ampleon. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.
In welchem Gehäuse oder Package ist BLP10H605AZ erhältlich?
Ist BLP10H605AZ aktuell auf Lager?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für BLP10H605AZ?
Kurzes Zitat
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SCHNELLE ANFRAGE
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