Diskrete Bipolar-Junction-Transistoren (BJTs) werden üblicherweise zum Aufbau analoger Signalverstärkungsfunktionen in Audio-, Radio- und anderen Anwendungen verwendet. Als eines der ersten Halbleiterbauelemente, die in Massenproduktion hergestellt wurden, sind ihre Eigenschaften für Anwendungen mit Hochfrequenzschaltung und Betrieb mit hohen Strömen oder Spannungen weniger günstig als die anderer Gerätetypen, sie bleiben jedoch eine Technologie der Wahl für Anwendungen, die eine analoge Signalwiedergabe erfordern minimales zusätzliches Rauschen und Verzerrungen.
| Teil # | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preisgestaltung | Menge |
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MAX2601ESA+Bipolar (BJT) | Analog Devices / Maxim Integrated | RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz | Auf Lager | - | |
MAX2602ESA+Bipolar (BJT) | Analog Devices / Maxim Integrated | RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz | 210 | - | |
MAX2601ESA+TBipolar (BJT) | Analog Devices / Maxim Integrated | RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz | Auf Lager | - | |
MAX2602ESA+TBipolar (BJT) | Analog Devices / Maxim Integrated | RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz | Auf Lager | - |